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答；可控硅有兩種叫法，精細一點(diǎn)叫晶閘管。常用的電力半導體器件有；普通可控硅（SCR）、門(mén)極（GTO）關(guān)斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場(chǎng)效應晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等?？煽毓枘K；是根據不同的用途與技術(shù)要求，將單向可控進(jìn)行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽(yáng)極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個(gè)可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽(yáng)極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點(diǎn)一只陰極k與一只陽(yáng)極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調壓電路中。例如軟啟動(dòng)器中改變電壓控制電動(dòng)機啟動(dòng)的電路中。無(wú)論是什么結構，它們的控制端都是由陰極K與門(mén)極G有二根線(xiàn)引出來(lái)控制的。下面簡(jiǎn)述一下GT0門(mén)極可關(guān)斷可控硅的組成。見(jiàn)下面圖門(mén)極可關(guān)斷晶閘管簡(jiǎn)稱(chēng)可關(guān)斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結構與普通可控硅ScR類(lèi)似，它的三個(gè)極也是陽(yáng)極A、陰極k、門(mén)極G。其內部結構及符號如上圖所示。其陽(yáng)極伏安特性如下圖所示。當陽(yáng)極加有正電壓、陰極加有負電壓時(shí)。在應用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。海南哪里有西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

西門(mén)康可控硅模塊

通常用兩個(gè)雙控開(kāi)關(guān)控制一個(gè)燈或其它電器,意思就是可以有兩個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)控制燈具等電器的開(kāi)關(guān),比如,在下樓時(shí)打開(kāi)開(kāi)關(guān),到樓上后關(guān)閉開(kāi)關(guān)。如果是采取傳統的開(kāi)關(guān)的話(huà),想要把燈關(guān)上,就要跑下樓去關(guān),采用雙控開(kāi)關(guān),就可以避免這個(gè)麻煩。另外雙控開(kāi)關(guān)還用于控制應急9誰(shuí)知道點(diǎn)開(kāi)關(guān)面板有幾種目前市場(chǎng)墻壁關(guān)、墻壁插座按尺寸劃規格主要規格120系列、118系列、86系列等。120系列指關(guān)插座產(chǎn)品度120毫米寬度78毫米。86系列指關(guān)插座產(chǎn)品度86毫米寬度86毫米。118系列指關(guān)插座產(chǎn)品度118毫米寬度78毫米。西門(mén)子、TCL-羅格朗、松下電工、西蒙、奇勝、梅蘭日蘭、朗能、鴻雁、飛雕電器、松本。是開(kāi)關(guān)面板品牌。10裝飾開(kāi)關(guān)有那些產(chǎn)品品牌裝飾開(kāi)關(guān)比較好的品牌有飛雕開(kāi)關(guān)插座、西門(mén)子開(kāi)關(guān)插座、施耐德開(kāi)關(guān)插座、西蒙開(kāi)關(guān)插座、松下開(kāi)關(guān)插座、正泰開(kāi)關(guān)插座、龍勝開(kāi)關(guān)插座、家的開(kāi)關(guān)插座、羅格朗開(kāi)關(guān)插座、格蘭開(kāi)關(guān)插座,全國開(kāi)關(guān)品牌,如果你買(mǎi)品牌開(kāi)關(guān),可以去了解一下。海南本地西門(mén)康可控硅模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。

C）的等效電路圖來(lái)分析。當在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?！隹煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1β2Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì )導通。

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結的四層結構的大功率半導體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件?？煽毓鑼ê?，當陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì )導通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來(lái)控制導通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見(jiàn)表1應用舉例：可控硅在實(shí)際應用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機常用的過(guò)壓保護電路，當E+電壓過(guò)高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高，當它高于穩壓管DZ的穩壓值時(shí)DZ道通，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路，使保險絲RJ熔斷，從而起到過(guò)壓保護的作用。2、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種，如圖3，這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當R值較少時(shí)，RC時(shí)間常數較少，觸發(fā)信號的相移A1較少，因此負載獲得較大的電功率；當R值較大時(shí)，RC時(shí)間常數較大，觸發(fā)信號的相移A2較大?？煽毓栌申P(guān)斷轉為導通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門(mén)極電壓。江西加工西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家

可控硅模塊的發(fā)展歷史比較悠久，發(fā)展到現代它的特點(diǎn)有很多，可應用的范圍也非常廣。海南哪里有西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

可控硅模塊的分類(lèi)可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。海南哪里有西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

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