山西實(shí)時(shí)成像平板探測器

直接式平板探測器主要由集電矩陣、硒層、電介層、頂層電極和保護層等構成。集電矩陣由按陣元方式排列的薄膜晶體管(TFT)組成。非晶硒半導體材料在薄膜晶體管陣列上方通過(guò)真空蒸鍍生成約、38mm×45mm見(jiàn)方的薄膜，它對X線(xiàn)很敏感，并有很高的圖像解析能力。頂層電極接高壓電源，當有X線(xiàn)入射時(shí)，由于高壓電源在非晶硒表面形成的電場(chǎng)，它們只能沿電場(chǎng)方向垂直穿過(guò)絕緣層、X射線(xiàn)半導體、電子封閉層，到達非晶硒，不會(huì )出現橫向偏離從而出現光的散射。平板探測器在安檢領(lǐng)域的應用包括公共場(chǎng)所安檢、車(chē)輛集裝箱檢查、可疑包裹排查等。山西實(shí)時(shí)成像平板探測器

將閃爍體產(chǎn)生的可見(jiàn)光轉換成電信號的方式也會(huì )對DQE產(chǎn)生影響。在碘化銫(或者硫氧化釓)薄膜晶體管這種結構的平板探測器中，因為T(mén)FT的陣列可以做成與閃爍體涂層的面積一樣大，所以可見(jiàn)光不需要經(jīng)過(guò)透鏡折射就可以投射到TFT上，沒(méi)有光子損失，所以DQE也比較高。在非晶硒平板探測器中，X線(xiàn)轉換成電信號完全依賴(lài)于非晶硒層產(chǎn)生的電子空穴對，DQE的高低取決于非晶硒層產(chǎn)生電荷能力?？偟恼f(shuō)來(lái)，CsI TFT這種結構的間接轉換平板探測器的極限DQE高于a-Se直接轉換平板探測器的極限DQE。四川乳腺平板探測器通過(guò)測量暗場(chǎng)的大小，可以獲得X射線(xiàn)穿過(guò)物質(zhì)時(shí)的信息。

CT是影像設備家族的一員，英文全稱(chēng)是Computed Tomography，中文名是計算機斷層掃描。所謂“斷層”，通俗來(lái)說(shuō)是橫截面。X射線(xiàn)就像是CT的這把隱形刀，射線(xiàn)穿過(guò)人體之后，由于人體不同結構的密度不同，對射線(xiàn)的衰減程度不同，使得穿過(guò)人體射線(xiàn)的強度出現了差異，借助探測器進(jìn)行探測X射線(xiàn)信號，通過(guò)圖像重建得到橫斷面的影像。從上述的描述中可以看出，在硬件組成方面，CT的主要部件也是X線(xiàn)球管和探測器，X線(xiàn)球管和探測器位于環(huán)形機架上。與DR不同的是，CT使用的不是平板探測器，而是弧形的線(xiàn)探測器（寬度較窄），之所以要用這種探測器，主要因為CT使用的射線(xiàn)束是扇形束（DR使用的是錐形束）。對于探測器的材質(zhì)，主要分為固體探測器和氣體探測器。

X射線(xiàn)管包含有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)電極，分別用于接受電子轟擊的靶材和發(fā)射電子的燈絲。兩極均被密封在高真空的玻璃或陶瓷外殼內。X射線(xiàn)管供電部分至少包含有一個(gè)使燈絲加熱的低壓電源和一個(gè)給兩極施加高電壓的高壓發(fā)生器。當鎢絲通過(guò)足夠的電流使其產(chǎn)生電子云，且有足夠的電壓（千伏等級）加在陽(yáng)極和陰極間，使得電子云被拉往陽(yáng)極。此時(shí)電子以高能高速的狀態(tài)撞擊鎢靶，高速電子到達靶面，運動(dòng)突然受到阻止，其動(dòng)能的一小部分便轉化為輻射能，以X射線(xiàn)的形式放出，以這種形式產(chǎn)生的輻射稱(chēng)為軔致輻射。分辨率高、獲取更多影像細節是數字化X線(xiàn)影像(DR)優(yōu)于普通放射影像的主要優(yōu)點(diǎn)。

X-RAY檢測應用很，可用于鋰電池檢測等電池行業(yè)、電路板行業(yè)、半導體封裝、汽車(chē)行業(yè)、電路板組裝行業(yè)等，可用于IGBT半導體檢測、BGA芯片檢測、LED燈條檢測、PCB裸板檢測、鋰電池檢測、鋁鑄件無(wú)損探傷檢測。觀(guān)察和測量包裝后內部物體的位置和形狀，并觀(guān)察內部狀況，確認產(chǎn)品是否合格，真正的做到無(wú)損檢測。X射線(xiàn)工業(yè)檢測的優(yōu)點(diǎn)：1、X射線(xiàn)成像非常直觀(guān)。2、X射線(xiàn)檢測作為薄壁鑄件的無(wú)損檢測具有很高的靈敏度。3、X射線(xiàn)測試對鑄件的表面光潔度沒(méi)有嚴格的要求。4、X射線(xiàn)測試結果在各種材料之間幾乎沒(méi)有差異。常用NDT方法有：超聲，射線(xiàn)，渦流、磁粉、滲透等。四川乳腺平板探測器

壞點(diǎn)是指對X射線(xiàn)強度不響應或響應不良的探測器單元。山西實(shí)時(shí)成像平板探測器

非晶硅平板探測器是間接數字化X線(xiàn)成像，其表面是一層閃爍體材料(碘化銫或硫氧化釓)，再下一層是以非晶體硅為材料的光電二極管電路，底層為電荷讀出電路。位于探測器表面的閃爍體將透過(guò)人體后衰減的X線(xiàn)轉換為可見(jiàn)光，非晶硅光電二極管陣列又將可見(jiàn)光轉換為電信號，在光電二極管自身的電容上形成存儲電荷，每個(gè)像素的存儲電荷量與入射X線(xiàn)強度成正比，在控制電路的作用下，掃描讀出各個(gè)像素的存儲電荷，經(jīng)A/D轉換后輸出數字信號，傳送給計算機進(jìn)行圖像處理從而形成X線(xiàn)數字影像。山西實(shí)時(shí)成像平板探測器

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